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设备特点：
设备采用Cluster结构，可配置最多四个溅射腔室，适用于先进封装领域TSV和TGV种子层薄膜制备；深宽比10:1；
设备组成：
单片/多片进样室、传送腔室、预清洗/加热腔室、射腔室；
溅射方式：
由上向下
溅射材料：
钛、铜、氮化钛、钽、氮化钽
