光刻指的是使用光敏光刻胶材料和可控制的曝光在衬底表面形成三维图形，将图形转移到一个平面的任一复制过程。对于半导体制造业来说，光刻描述了用来形成非常细小的特征图形的过程，这在微纳米结构制造中非常重要。光刻处于微纳加工过程的中心，常被认为是该领域中最关键的步骤。

设备类型：紫外曝光、电子束曝光、激光直写曝光、深紫外曝光等光刻能力。

曝光衬底尺寸：1cm*1cm、2cm*2cm、2英寸、3英寸、4英寸、6英寸、8英寸、12英寸等

刻蚀是用化学或物理方法有选择地从片源表面去除不需要的材料的过程。刻蚀的基本目标是在涂胶的片源上正确地复制掩膜图形。有图形的光刻胶层在刻蚀中不受到腐蚀源显著的侵蚀。这层掩膜用来在刻蚀中保护片源上的特殊区域而选择性地刻蚀掉未被光刻胶保护的区域。

设备类型： RIE、ICP、IBE、RIBE、气体刻蚀等

刻蚀尺寸：8英寸及以下

镀膜在基片上沉积各种材料的薄膜，是微纳加工的重要手段之一，主要方法有化学气相沉积、电子束蒸发、溅射等。公司现有多台薄膜沉积设备，

设备类型：

CVD：沉积介质薄膜的原子层沉积（ALD）、感应耦合等离子体化学气相沉积系统（ICP-CVD）、等离子体增强化学气相沉积系统（PECVD）和低压化学气相沉积（LPCVD）炉管；

PVD：沉积金属、磁性材料和化合物等多样材料的电子束蒸发镀膜设备和多靶磁控溅射镀膜系统。

镀膜尺寸：8英寸及以下

湿法清洗是指利用各种化学试剂与吸附在被清洗物体表面上的杂质及油污发生化学反应或溶解作用，或伴以超声、加热、抽真空等物理措施，使杂质从被清除物体的表面脱附（解吸），然后用大量高纯去离子水冲洗，从而获得洁净表面的过程。根据污染物发生的情况，大致可将污染物分为颗粒、有机物、金属污染物及氧化物。清洗是半导体器件制造中最重要最频繁的步骤，其效率将直接影响到器件的成品率、性能和可靠性。

设备类型：半自动有机清洗机、无机清洗机、RCA清洗机、自动剥离机、湿法腐蚀机

清洗尺寸：12英寸及以下

公司通过光学检测设备来表征样品表面的形貌、尺寸、元素分析、折射率、反射率、应力等参数，以保障加工最终效果达到客户要求。

设备类型：光学显微镜、扫描电镜、透射电镜、原子力显微镜、聚焦离子束、台阶仪、应力仪、椭偏仪、分光光度计、膜厚仪等

表征尺寸：6英寸及以下

公司具备晶圆级切割设备及芯片解理设备，晶圆切割设备包含轮刀切割和激光切割，芯片切割包含bar条解理和芯片解理。

设备类型：晶圆划片机、裂片机、激光表切划片机、激光隐切划片机、切割机

划裂尺寸：8英寸及以下

在芯片的工作过程中，由于热量的产生，使得芯片背面产生内应力。芯片热量升高，基体层之间的热差异性加剧，加大了芯片内应力。较大的内应力使芯片破裂。因此，通过背面减薄工艺，降低芯片热阻，提高芯片的散热性能，降低芯片破损的风险，提高集成电路的可靠性。另外做调制器芯片需要通过端面抛光来进行光纤的端面耦合。

磨抛设备：研磨机、抛光机，端面抛光机

磨抛尺寸：3英寸晶圆、2cm*2cm端面抛光

对分割后的EEL激光芯片进行初步的电学和光学性能测试（如L-I-V特性测试），筛选出合格的芯片，并根据性能指标进行分档。

测试分选设备：长高温测试台、AOI四面外观分选

实验室配置四大核心测试系统:毫米波射频测试系统(覆盖110GHz频段)、噪声分析系统、高精度直流/交流参数测试系统及先进器件建模平台。

测试能力：半导体器件参数测试、高频特性分析、PDK建模开发及失效分析等关键环节

测试尺寸：8英寸及以下尺寸晶圆级和单个Die器件以及封装后的同轴器件测试