刻蚀是用化学或物理方法有选择地从片源表面去除不需要的材料的过程。刻蚀的基本目标是在涂胶的片源上正确地复制掩膜图形。有图形的光刻胶层在刻蚀中不受到腐蚀源显著的侵蚀。这层掩膜用来在刻蚀中保护片源上的特殊区域而选择性地刻蚀掉未被光刻胶保护的区域。
设备类型： RIE、ICP、IBE、RIBE、气体刻蚀等
刻蚀尺寸：8英寸及以下
品牌型号 | OXFORD PlasmaPro 100 Cobra 180 |
样品台尺寸 | 可支持6英寸及以下片源 |
主要功能 | 刻蚀 Si\LN\Cr\AI\InP\GaAs |
刻蚀一致性 | ＜±5% |
刻蚀速率 | 0.5-20nm/s |
品牌型号 | SAMCO RIE-200iP |
样品台尺寸 | 可支持6英寸及以下片源 |
主要功能 | 刻蚀 Cr\AI\InP\GaAs |
刻蚀一致性 | ＜±5% |
刻蚀速率 | ≥100nm/min |
品牌型号 | OXFORD PlasmaPro 100 RIE |
样品台尺寸 | 可支持6英寸及以下片源 |
主要功能 | 刻蚀 SiO2\SiNX\LN |
刻蚀一致性 | ＜±5% |
陡直度 | SiO2\SiNX：85°±5°；LN：60°-70° |
品牌型号 | SENTECH SI591 |
样品台尺寸 | 最大支持8英寸, 兼容小片 |
气体种类 | O2、CHF3、Ar、H2、CH4、CI2 |
射频功率 | 600W(13.56MHz) |
温度范围 | -20℃~80℃ |
主要功能 | 用于硅、二氧化硅、氮化硅等材料的各向异性刻蚀 |
品牌型号 | Scia system mill 150 |
样品台尺寸 | 可支持6英寸及以下片源 |
主要功能 | 刻蚀 Au、Pt、Cu、Ta、AlN、Si、SiO2等薄膜材料 |
冷却方式 | 背氦+水冷 |
刻蚀速率 | 30 nm/min |
品牌型号 | SPTS Omega LPX Rapier |
样品台尺寸 | 可支持6英寸及以下片源 |
主要功能 | 刻蚀各类硅基材料，尤其适用于高深宽比的刻蚀工艺 |
冷却方式 | 背氦+水冷 |
气体配种 | 配备8路工艺气体 |
品牌型号 | Memsstar Orbis Alpha HF |
样品台尺寸 | 可支持8英寸及以下片源 |
主要功能 | 用于 MEMS 器件中二氧化硅牺牲层的释放、SOI 衬底结构中的二氧化硅层释放 |
刻蚀速率 | ＞0.3 μm/min |
兼容Al、Au、Ti、Si、Si3N4等多种材料 | |
品牌型号 | Memsstar Orbis Alpha XeF2 |
样品台尺寸 | 可支持8英寸及以下片源 |
主要功能 | 对硅的干法同向刻蚀，常用于MEMS器件中硅牺牲层的释放 |
硅刻蚀速率 | ＞3 μm/min |
刻蚀Si、Ge、GeSi、Mo等多种材料 | |
