可根据用户需求定制多工艺腔室集成系统，国际称之为多腔室Cluster系统；
系统组成：单片/多片进样/储样室、传导室、多工艺腔室(不同数量/不同功能/相同功能等)、溅射/蒸发系统、离子源辅助系统、真空系统、加热/冷却系统、气体传输系统、全自动程序控制系统等。
设备特点：
1.蒸发源独立在一个小腔室内，可与放置工件的腔室做真空隔断；如蒸发源出现（灯丝短路，材料不足时）放置工件的腔室能处于高真空，保证高价值的基片不受污染，设备配有一键续镀功能；恢复蒸发源故障后可继续当前层镀膜；
2.多用于高价值基片的金属蒸发，配置金属专用电子枪系统（有效吸收二次电子，装载材料量大，水冷效果好）；
标准组成：
工艺腔室、蒸发源系统(金属/介质)、离子源系统、控温系统气体传输系统、机械系统、全自动程序控制系统、安全系统等；
应用类型：
金属蒸发和介电材料蒸发；应用于背金和剥离(Lift-off)工艺。
蒸发源类型：
电子束蒸发、热蒸发、高频感应蒸发、离子源辅助蒸发；
标准组成：
工艺室、真空系统、控温系统、气路传输系统、机械系统、蒸发源、全自动程序控制系统、安全系统；
应用类型：
金属蒸发和介电材料蒸发；
可选配置：
石英晶体膜厚控制器、辅助离子源(射频源和霍尔源)、单片/多片自动进样室等；
设备特点：
设备采用Cluster结构，可配置最多四个溅射腔室，适用于先进封装领域TSV和TGV种子层薄膜制备；深宽比10:1；
设备组成：
单片/多片进样室、传送腔室、预清洗/加热腔室、射腔室；
溅射方式：
由上向下
溅射材料：
钛、铜、氮化钛、钽、氮化钽
新型反应磁控溅射技术相比IBD技术的优点：
制造和使用成本更低、产能更大;可以实现多靶共溅射,应力调节能力更强,不会造成半导体基片损伤,可以用于玻璃基片或者半导体基片，应用广泛；
设备特点：
全自动程序控制实现“一键”完成,采用共焦式/垂直溅射结构,结构紧凑，功能全面,操作界面友好,稳定可靠,适合于研发和生产需要；
设备组成：
单片/多片进样室、工艺腔室、溅射系统、射频离子源辅助系统、真空系统、加热/冷却系统、气体传输系统、全自动程序控制系统等；
溅射方式：
直流脉冲反应溅射、射频反应溅射、反应共溅射；
应用：
溅射生成各种介电材料,如氧化物、氮化物、氮氧化物等。
设备特点：
全自动程序控制实现“一键”完成,采用共焦式溅射结构,结构紧凑,功能全面,操作界面友好,稳定可靠,适合于研发及小批量生产需要;
设备组成：
单片/多片进样室、工艺腔室、溅射系统、真空系统、加热/冷却系统、气体传输系统、基片预清洗系统、全自动程序控制系统等;
溅射方式：
直流溅射、射频溅射、共溅射、反应溅射;
溅射材料：
非磁性金属材料、磁性金属材料(铁、钴、镍等)、不导电材料;
