新型反应磁控溅射技术相比IBD技术的优点：
制造和使用成本更低、产能更大;可以实现多靶共溅射,应力调节能力更强,不会造成半导体基片损伤,可以用于玻璃基片或者半导体基片，应用广泛；
设备特点：
全自动程序控制实现“一键”完成,采用共焦式/垂直溅射结构,结构紧凑，功能全面,操作界面友好,稳定可靠,适合于研发和生产需要；
设备组成：
单片/多片进样室、工艺腔室、溅射系统、射频离子源辅助系统、真空系统、加热/冷却系统、气体传输系统、全自动程序控制系统等；
溅射方式：
直流脉冲反应溅射、射频反应溅射、反应共溅射；
应用：
溅射生成各种介电材料,如氧化物、氮化物、氮氧化物等。
