光刻指的是使用光敏光刻胶材料和可控制的曝光在衬底表面形成三维图形，将图形转移到一个平面的任一复制过程。对于半导体制造业来说，光刻描述了用来形成非常细小的特征图形的过程，这在微纳米结构制造中非常重要。光刻处于微纳加工过程的中心，常被认为是该领域中最关键的步骤。
设备类型：紫外曝光、电子束曝光、激光直写曝光、深紫外曝光等光刻能力。
曝光衬底尺寸：1cm*1cm、2cm*2cm、2英寸、3英寸、4英寸、6英寸、8英寸、12英寸等
品牌型号 | CANON FPA-3030EX6 |
样品台尺寸 | 可支持4/6英寸 |
最小线宽 | 150nm |
对准精度 | 40nm |
步进精度 | 20nm |
对焦精度 | ≤100nm |
掩膜板缩放比 | 5:1 |
曝光区域 | 2*2cm（挡板全开） |
品牌型号 | 尼康i8 |
样品台尺寸 | 可支持4英寸 |
最小线宽 | 500nm |
对准精度 | 120nm |
步进精度 | 75nm |
对焦精度 | ≤250nm |
掩膜板缩放比 | 5:1 |
曝光区域 | 2*2cm（挡板全开） |
品牌型号 | EVG 620NT |
样品台尺寸 | 可支持6英寸及以下片源 |
最小线宽 | 800nm |
正面对准精度 | 500nm |
背面对准精度 | 1μm |
光强均匀性 | ≤3% |
支持双面对准、键合对准 | |
品牌型号 | Karl SUSS MA6 |
样品台尺寸 | 可支持6英寸及以下 |
最小线宽 | 800nm |
正面对准精度 | 250nm |
背面对准精度 | 1μm |
套刻误差 | 800nm-1000nm |
X-和Y-向位移精度在0.1um以下 | |
品牌型号 | JEOL JBX‐9500FS |
样品台尺寸 | 可支持6英寸及以下片源 |
电子源 | 热场发射（肖特基） |
精度 | ±10nm |
发射源 | ZrO/W、高斯光束 |
拼接误差 | ±10nm |
写场大小 | 1mm x 1mm |
加速电压 | 100kv |
品牌型号 | Raith EBPG5150 |
样品台尺寸 | 可支持8英寸及以下片源 |
电子源 | 热场发射（肖特基） |
精度 | ±8nm |
发射源 | ZrO/W、高斯光束 |
拼接误差 | ±10nm |
写场大小 | 1mm x 1mm |
加速电压 | 100kv |
品牌型号 | Raith EBPG5200 plus |
样品台尺寸 | 可支持6英寸及以下片源 |
电子源 | 热场发射（肖特基） |
精度 | ±10nm |
发射源 | ZrO/W、高斯光束 |
拼接误差 | ±10nm |
写场大小 | 1mm x 1mm |
加速电压 | 100kv |
品牌型号 | Raith VOYAGER |
样品台尺寸 | 可支持6英寸及以下片源 |
电子源 | 热场发射（肖特基） |
精度 | ±10nm |
发射源 | ZrO/W、高斯光束 |
拼接误差 | ±20nm |
写场大小 | 500μm x 500μm |
加速电压 | 50kv |
品牌型号 | Heidelberg Instruments DWL66+ |
样品台尺寸 | 可支持6英寸及以下 |
最小线宽 | 300nm |
描绘网格 | 7nm |
线宽均匀性 | 60nm |
套刻精度 | 100nm |
光绘速度 | 3mm2/min |
品牌型号 | PVA TePla loN 40 |
样品台尺寸 | 可支持6英寸及以下片源 |
工艺气体 | O2、Ar |
主要功能 | 去除表面光刻胶或有机残留，单层石墨烯 |
品牌型号 | RTA200-SVAC-D-M |
样品台尺寸 | 3inch及以下片源 |
主要功能 | 对片源进行快速退火处理 |
工作温度 | 300~800℃，持温小于6min |
温控精度 | ±5℃ |
品牌型号 | Annealsys AS-One150HT |
样品台尺寸 | 可支持6英寸及以下片源 |
最高加热温度 | 1300℃ |
工艺气路 | N2、O2、Ar |
主要功能 | 用于硅及化合物半导体材料离子注入后的缺陷消除、杂质激活、硅化物形成、欧姆接触退火等工艺 |
