镀膜在基片上沉积各种材料的薄膜，是微纳加工的重要手段之一，主要方法有化学气相沉积、电子束蒸发、溅射等。公司现有多台薄膜沉积设备，
设备类型：
CVD：沉积介质薄膜的原子层沉积（ALD）、感应耦合等离子体化学气相沉积系统（ICP-CVD）、等离子体增强化学气相沉积系统（PECVD）和低压化学气相沉积（LPCVD）炉管；
PVD：沉积金属、磁性材料和化合物等多样材料的电子束蒸发镀膜设备和多靶磁控溅射镀膜系统。
镀膜尺寸：8英寸及以下
品牌型号 | KURT J.LESKER Labline PVD 75 |
样品台尺寸 | 可支持6英寸及以下片源 |
主要功能 | 可用于Au、Pt、Ag、Cr、Ti、W、Ni、Si等，有材料一般均可 |
薄膜沉积均匀性 | 优于5% |
坩埚 | 8个，12CC |
品牌型号 | 长沙元戎 |
样品台尺寸 | 可支持8英寸及以下片源 |
主要功能 | 用于AU，Ti，AL，NiCr，Cr等金属镀膜 |
薄膜沉积均匀性 | 优于5% |
坩埚 | 8个，25CC |
品牌型号 | 富林FSE-EBRS-800(25度&60度) |
样品台尺寸 | 可支持6英寸及以下片源 |
主要功能 | 可用于沉积Cr，Al，Au，Ti，AuGeNi等 |
薄膜沉积均匀性 | 优于5% |
坩埚 | 共6个，尺寸：40cc |
品牌型号 | DENTONINTEGRITY-26LASER BAR EVAPORATION SYSTEM |
样品台尺寸 | 可支持6英寸及以下片源 |
主要功能 | 可用于Si、SiO2、TiO2、Al2O3、Ta2O5等 |
薄膜沉积均匀性 | 优于5% |
特点 | 薄膜致密性好、附着力高 |
品牌型号 | 莱宝ARES700 |
样品台尺寸 | 可支持6英寸及以下片源 |
主要功能 | 可用于沉积Si、SiO2、TiO2、Al2O3、Ta2O5、HfO2、Nb2O5等。同时可沉积多层光学膜 |
薄膜沉积均匀性 | 优于5% |
坩埚 | 共6个，尺寸：17cc |
品牌型号 | 爱发科CS-200z |
样品台尺寸 | 4英寸及以下片源 |
主要功能 | 可用于溅射沉积Cr，Al，Au，Ti，Pt，ITO，Ni等 |
薄膜沉积均匀性 | 优于5% |
靶材 | 4寸靶材，左腔4个位置（其中一个强磁），右腔2个位置 |
品牌型号 | 安徽嘉硕500型磁控 |
样品台尺寸 | 可支持6英寸及以下片源 |
主要功能 | 用于AU，Ti，AL，Cr，Ni，W，Er，Pt，Cu，Mo，SbTe，Ge2SbTe5等各种靶材（非硫化物类） |
薄膜沉积均匀性 | 优于5% |
靶材 | 共4个位置，3寸靶材 |
品牌型号 | 元戎双腔反应磁控 |
样品台尺寸 | 可支持8英寸及以下片源 |
主要功能 | 用于AU，Ti，AL，NiCr，Cr，Ni等金属，SiO2，Si3N4，等氧化氮化物 |
薄膜沉积均匀性 | 优于5% |
靶材 | 4寸靶材，左腔4个位置（其中一个强磁），右腔2个位置 |
品牌型号 | Beneq TFS 200 ALD |
样品台尺寸 | 可支持8英寸及以下片源 |
主要功能 | 实现Al2O3、HfO2、TiO2、SiO2、AlN、SiNx等薄膜生长 |
最高允许加热温度 | 500 ℃ |
反应方式 | 射频+热反应 |
品牌型号 | OXFORD PlasmaPro 100 PECVD |
样品台尺寸 | 可支持6英寸及以下片源 |
主要功能 | Si\SiO2\SiNx\SiOXNY |
薄膜沉积均匀性 | 优于5% |
重复性 | 优于3% |
薄膜应力 | 薄膜应力小 |
品牌型号 | SENTECH SI 500D |
样品台尺寸 | 最大样品尺寸8英寸 |
主要功能 | 低温下沉积SiO2、SiNx、SiOxNy等介质薄膜，具有一定的填充孔洞能力 |
薄膜沉积均匀性 | 优于5% |
沉积速率 | ≥15 nm/min |
薄膜应力 | 薄膜应力小 |
品牌型号 | TYSTAR Mini-TYTAN4600 LPCVD |
样品台尺寸 | 可支持6英寸 |
主要功能 | 实现热氧化、SiO2、SiNx、多晶硅等薄膜生长 |
薄膜沉积均匀性 | 优于3% |
晶圆厚度 | 160-300μm |
薄膜应力 | 薄膜应力小 |
